显示/光电技术中的光电探测器多量子阱MQW结构APD

由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.55As多量子阱MQW结构APDn']。这种多量子阱结构是为了提高电子或空穴其中一种载流子的电离率,即使ocJα九变得很大或者很小从而降低噪声(α召和‰分别为电子和空穴电离系数)。考虑一个电子在宽带隙的Al0.45Ga0.55As层中被加速,当它进入到窄带隙的GaAs层时,由于导带的不连续性,它将获得LEc=0.48 cY的能量。这样相当于将GaAs体材料电子的电离能