元器件应用中的金属间光波导

与标准CMOS工艺兼容的金属间氧化层光波导,利用CMOS工艺中的一层金属和二层金属间的氧化层作为光波导芯 层,第一层金属作为光波导下包层,二层金属作为光波导上包层。如图1所示,利用有源区与阱间的pn结作为发光 二极管,二氧化硅覆盖在pn结上。发光二极管发出的光直接耦合进入金属间氧化层光波导,实现发光二极管与光 波导的集成,利用有源区与阱间的pn结作为光探测器,二氧化硅覆盖在pn结上。光波导将光直接耦合到光探测器 ,实现光探测器与光波导(110)的集成。 图1 金属间氧化物光波导结构 金属间氧化层光波导的材料和工艺均与标准CMOS工艺流程兼容,因此制作步骤与标准CM0S工艺流程相同,具体