元器件应用中的场氧化结构做光波导

场氧化结构在微电子集成电路工艺中是用来做有源器件间隔离的(如图1所示)。在硅材料中生长厚的二氧化硅 层可以减小有源器件(晶体管等)间的电气干扰。 从图1中可以看出,在场氧化结构的两端有类似于“鸟嘴”的形状。这是生长Si02时留下的痕迹。这种现象称之 为“鸟嘴”现象。当用场氧化结构作为硅基光波导时,光波导芯层是场氧化层的SiO2材料,下包层为体硅材料, 上包层为空气或者是CM0S工艺中的磷硅酸玻璃材料。与场氧化结构两端的“鸟嘴”结构相邻的有源区可以作为光 发射器件和光探测器。 利用“鸟嘴”现象与有源区侧面相邻的特点,可以达到较高效率的光发射器和光波导、光波导和光接收器的耦 合。在光发