元器件应用中的Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。此次发布的器件包括业界首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V器件,以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。 已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET,也采用PowerPAK SC-75占位的封装,30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40mΩ,SiB412D