元器件应用中的恩智浦推首款DFN封装低饱和电压双晶体管

恩智浦半导体近日推出业内首款双晶体管产品,具有低饱和电压特性,采用2 mm x 2 mm DFN(分立式扁平无引脚)封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市,它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。 这些超小型双晶体管的集电极电流(IC)最大值可达2 A,能够处理高达3 A的峰值电流。同时,它们的效率极高,具有低至60 mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP),使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机