元器件应用中的恩智浦推出新一代高效率低VCEsat晶体管

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支:超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V-60 V,采用小型SMD封装SOT23 (2.9×1.3×1 mm)和SOT457 (2.9×1.5×1 mm)。 这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管,正如其名,它们为减少打开导通电阻确立了新的基准,使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压。4种新的高速开关晶体管使开关和存储时间降低到125 ns。新型BISS-