元器件应用中的恩智浦最新一代低VCEsat晶体管功率损耗可减少80%

恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。 第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8安培,它使用网状发射极技术降低RCEsat,从而能够提供更高的电流容量以及超低的VCEsat。BISS晶体管可用于提高中等功率DC/DC转换、负荷开关、高边开关(high side switch)、电机驱动器