元器件应用中的6晶体管单元

4晶体管式单元在集成方面是有优势的,但在功耗及低电压驱动上却存在问题。为了解决这样的问题,利用P沟道的MOSFET置换4晶体管单元的电阻部分,构成6晶体管单元。 6晶体管单元的电路构成如图所示,与4晶体管单元相比,单元变得较大。图中Q1和Q5以及Q2和Q6分别形成CMOS结构,这样,漏电流也变小,就可以将待机电流控制得很小。 图 6晶体管SRAM存储器单元 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99