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锗单晶片边缘倒角工艺研究

上传者: 2020-08-09 11:54:53上传 PDF文件 249.22KB 热度 20次
锗单晶片边缘倒角工艺研究,赵大国,,本文对锗单晶片的倒角工艺作了简要介绍,主要包括晶片边缘倒角的基本原理,晶片倒角的必要性以及晶片边缘粗糙度对后道工艺的影响
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