论文研究 Growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers.pdf
氮化铟纳米柱在InGaN缓冲层上的生长与性质，潘杨，王倜，在氮化镓衬底上，利用InGaN缓冲层，使用射频分子束外延方法垂直生长了c轴取向的氮化铟纳米柱。纳米柱的密度可以通过铟氮比来调控。
下载地址
用户评论
