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论文研究 Growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers.pdf

上传者: 2020-07-19 09:09:01上传 PDF文件 829.3KB 热度 19次
氮化铟纳米柱在InGaN缓冲层上的生长与性质,潘杨,王倜,在氮化镓衬底上,利用InGaN缓冲层,使用射频分子束外延方法垂直生长了c轴取向的氮化铟纳米柱。纳米柱的密度可以通过铟氮比来调控。
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