High quality Si doped Al0.49Ga0.51N grown on AlN/AlGaN superlattice with MOCVD 上传者：sellingpole84529 2020-07-18 03:44:24上传 PDF文件 429.05KB 热度 16次 基于AlN/AlGaN超晶格结构高质量Si掺杂Al0.49Ga0.51N的MOCVD生长，李洋，陈圣昌，在本论文中，通过采用一套20周期的AlN/Al0.4Ga0.6N超晶格插入层制备了高质量的Si掺杂Al0.49Ga0.51N，厚度达到1.5μm。（0002）面X射线衍射仪测� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 sellingpole84529 资源：422 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
