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The Structural and Electronic Properties of Si doped Wurtzite AlN from First Pri

上传者: 2020-07-17 17:35:47上传 PDF文件 443.05KB 热度 17次
硅掺杂六角结构氮化铝结构几何和电子结构的第一性原理研究,龙闰,戴瑛,利用密度泛函理论计算研究了施主杂质硅掺杂六角结构氮化铝的结构和电子性质。考虑了四种替位或填隙硅杂质模拟掺杂体系。形成能计
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