Effects of the AlN layer thickness of composition graded AlxGa1 xN/AlN buffer la 上传者：u40799 2020-07-17 00:39:50上传 PDF文件 552.97KB 热度 36次 AlxGa1-xN/AlN 缓冲层结构中AlN层厚度对在Si衬底上生长GaN外延薄膜的性质影响研究，戴江南，方妍妍，在本论文中，利用金属有机化学气相沉积方法对高温AlN缓冲层在硅衬底上进行GaN薄膜材料的性质影响进行了研究。重点研究不同高温AlN缓 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
