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Effects of the AlN layer thickness of composition graded AlxGa1 xN/AlN buffer la

上传者: 2020-07-17 00:39:50上传 PDF文件 552.97KB 热度 17次
AlxGa1-xN/AlN 缓冲层结构中AlN层厚度对在Si衬底上生长GaN外延薄膜的性质影响研究,戴江南,方妍妍,在本论文中,利用金属有机化学气相沉积方法对高温AlN缓冲层在硅衬底上进行GaN薄膜材料的性质影响进行了研究。重点研究不同高温AlN缓
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