AlN

基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势, 采用广义梯度近似及Heyd-Scuseria-Ernzerhof 03 (HSE03)方法对能带及态密度进行修正, 研究了AlN1-xPx(x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1)合金的晶体结构、电子结构和光学性质。结果表明, 随P含量的增加, AlN1-xPx晶格常数呈线性递增趋势, AlN1-xPx(x=0, 0.25, 0.75, 1)属于立方晶系, 而AlN0.50P0.50属于四方晶系。AlN1-xPx带隙随P含量的增加呈先减后增趋势, AlN和AlP是间接带隙半导体, 而AlN1-xPx(x=0.25, 0.50, 0.75)