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论文研究大功率LED用SiC衬底刻蚀研究 .pdf

上传者: 2020-03-18 20:31:54上传 PDF文件 1.36MB 热度 23次
大功率LED用SiC衬底刻蚀研究,衣振州,申人升,本文采用感应耦合等离子体(ICP)设备,以SF6与02作为刻蚀气体,系统研究了大功率发光二极管(LED)用碳化硅(SiC)衬底刻蚀的工艺参数
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