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埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响

上传者: 2020-07-17 21:57:21上传 PDF文件 497.61KB 热度 15次
埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响,张园园,赵耀林,本文模拟了沟道长度分别为250nm、180nm及90nm SOI NMOSFETs器件在不同浓度的埋氧层陷阱电荷(Not)下,相同重离子入射后产生的瞬时电流脉冲
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