埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响 上传者：ancyancy 2020-07-17 21:57:21上传 PDF文件 497.61KB 热度 37次 埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响，张园园，赵耀林，本文模拟了沟道长度分别为250nm、180nm及90nm SOI NMOSFETs器件在不同浓度的埋氧层陷阱电荷（Not）下，相同重离子入射后产生的瞬时电流脉冲 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
