论文研究 硅微通道阵列结构释放中背部塌陷现象的研究 .pdf
硅微通道阵列结构释放中背部塌陷现象的研究，赵凯，刘微，电化学刻蚀技术制备的硅微通道结构不是通透的，需要通过结构释放将通道打开。本文采用湿法腐蚀手段，以质量分数为28wt%TMAH溶液对n��
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不错的ico图库。