双极栅极脉冲应力下高金属氧化物金属薄膜晶体管的抑制性能下降

在这封信中,报告了在双极栅极脉冲应力下对高架金属金属氧化物(EMMO)薄膜晶体管(TFT)的可靠性的研究。 与常规的非晶铟镓锌氧化物TFT相比,EMMO TFT在脉冲跃迁期间的动态退化可忽略不计,并且器件退化主要由DC机制引起。 尽管在正偏置应力(PBS)和负偏置应力下都观察到负阈值电压(V th )漂移,但是双极性脉冲应力引起的Vth漂移小于与正栅极偏置相同的PBS引起的Vth漂移。双极栅极脉冲和相同的有效PBS时间,其中在双极脉冲应力中在正偏压阶段引入的Vth偏移被认为在负偏压阶段可以部分恢复。 提出这些退化现象是由于在制造EMMO TFT的过程中,通过氧化热处理提高了沟道和栅极氧化物的质量,最终使EMMO TFT在双极性栅极脉冲应力下具有可靠的性能。