用铜源漏电极制备非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的方法

我们揭示了一种新颖的方法来制造具有反向交错反向沟道刻蚀结构和铜(Cu)源/漏(S / D)电极的非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜晶体管(TFT)。 特别是,使用灰色调掩膜来定义S / D电极和有源层。 由于Cu与a-IZO膜之间的良好粘合性,a-IZO层不仅充当有源层,而且充当Cu电极的粘合层。 提出的TFT表现出12.2 cm(2)/ Vs的高饱和迁移率,-0.4 V的阈值电压和0.22 V / decade的低亚阈值摆幅。 良好的电性能和可靠性归因于Cu电极与a-IZO层之间的良好接触性能,以及极少的Cu原子扩散到沟道层中。