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用于高性能CMOS晶体管的高K 金属栅极

上传者: 2020-08-13 17:57:40上传 PDF文件 394.82KB 热度 15次
英特尔公司为了将研制成功的高-k栅介质+金属栅极晶体管应用于微处理器芯片的规模量产,做到集成到45纳米CMOS制程中达到高性能整体的低漏电满足高可靠性要求工艺可量产和精确拷贝。
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