激光退火制备PbTiO

用350~450 °C低温射频溅射,接着用连续CO2激光退火处理,已在铂箔和硅片上制备了具有相当好铁电性能的PbTiO3(钛酸铅)薄膜。巳发现在辐照区有明显的順电相向铁电相转变的相变,而邻近区域并无温并。通过瞬态深能级谱方法还研究了激光退火对于PbTiO3膜MOS结构的硅-二氧化硅界面电子态的影响,并且发现SiO2上的铂电极对于避免界面附近电子态的劣化是有效的。