超快速激光退火

单晶硅几乎是每种近代半导体电子器件的心脏部分。制造这种器件需要经过一系列复杂的工艺步骤,其中包括引进少量杂质以调整所要求的电学特性。目前,这种工艺的中心环节之一涉及在炉子里加热到1000 °C,时间达30分钟左右。然而,最近几年发展了一种全新的热处理工艺技术。与传统的工艺相比,这种方法是用短脉冲强激光辐射只加热器件的表面层,而不是加热整个硅片。这种新颖的工艺为生产新型层状器件结构开辟了广阔的前景。另外,也为基本材料研制工作的提高提供了更多的机会。