激光退火加快存贮集成电路的响应 上传者：SH_LEI 2021-02-23 08:29:08上传 PDF文件 817.58KB 热度 36次 加里福尼亚州圣克拉拉的国家半导体公司用连续波激光退火已使随机存取存贮集成电路片的性能提高。虽然几年来激光退火作为“恢复”因离子注入(掺杂)损伤的一种途径有了很大的发展,但公司的此种工作似乎还是首次,他们的处理方法使集成电路的动态特性有了改善。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
