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激光退火加快存贮集成电路的响应

上传者: 2021-02-23 08:29:08上传 PDF文件 817.58KB 热度 9次
加里福尼亚州圣克拉拉的国家半导体公司用连续波激光退火已使随机存取存贮集成电路片的性能提高。虽然几年来激光退火作为“恢复”因离子注入(掺杂)损伤的一种途径有了很大的发展,但公司的此种工作似乎还是首次,他们的处理方法使集成电路的动态特性有了改善。
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