掺Te的GaSb退火后的电学和光学性质

GaSb是GaSb系统混合半导体外延生长中最合适的衬底。在这项工作中,将具有不同掺杂浓度的Te掺杂的GaSb块状晶体在环境锑中于550°C退火100小时。 通过霍尔效应测量,红外(IR),光透射,辉光放电质谱(GDMS)和光致发光(PL)光谱对退火样品进行了研究。 退火后,掺Te的GaSb样品表现出载流子浓度的降低和迁移率的增加,以及低于间隙IR透射率的改善。 原生受体相关的电补偿分析表明,能量水平较高的供体缺陷形成。 讨论了缺陷变化的机理及其对材料性能的影响。