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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

上传者: 2020-07-26 01:29:22上传 PDF文件 317.08KB 热度 16次
不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质,宋超,陈谷然,采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米
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