直流磁控溅射ZnO:Al2O3陶瓷靶材制备Al N 掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现

在这项研究中,Al-N共掺杂型氧化锌(ZnO)薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO:(2 wt%Al2O3)的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。 双θ衍射的X射线衍射光谱表明,所有膜均具有ZnO纤锌矿结构的主要(002)峰。 随着N2和O2混合气体中N2含量的增加,场发射二次电子显微镜显示出Si上共掺杂膜的表面外观从光滑结构到纹理结构变化。 所述p型ZnO薄膜显示该rangeof载流子浓度1.5×10 15 -2.93×10 17 cm -3时,resistivityin的131.2-2.864Ωcm的范围内,和迁移率的3.99-31.6厘米2伏范围-1 s -1 。