NiHfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数随外部电场的变化

本文研究了外部电场对Ni(001),Ni(111),HfO2(001)和HfO2(111)薄膜功函数的影响以及Ni(001)/ HfO2(基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了001)和Ni(111)/ HfO2(111)界面。 发现所有系统的功函数随外部电场强度线性变化。 比较Ni,HfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数变化对外部电场强度的斜率,我们发现Ni / HfO2界面的有效功函数对外部电场的响应取决于HfO2侧对外部电场的响应。