基于HfO2的高度稳定的辐射免疫铁电存储器

在这封信中,首次在辐射条件下研究了具有金属-绝缘体-金属结构的基于HfO2的铁电随机存取存储器(FeRAM)。 掺Y的基于HfO2的FeRAM器件对60Coγ射线辐射显示出高度的抵抗力。 FeRAM的基本参数(例如漏电流,介电常数,剩余极化强度,耐久性和疲劳性)在γ射线辐射后的总剂量高达12.96 Mrad(SI)时几乎没有降解。 此外,铁电磁滞回线在辐射后没有变形。 掺Y的HfO2 FeRAM器件在辐射下的高稳定性证明了它们在核和航空航天应用中的巨大潜力。