利用同步辐射光电子能谱技术测量ZnO/PbTe异质结的能带带阶

异质结结构界面的能带带阶是一个非常重要的参数, 该参数的精确确定直接影响异质结的光电性质研究以及异质结在光电器件上的应用. 利用同步辐射光电子能谱技术测量了ZnO/PbTe 异质结结构的能带带阶.测量得到该异质结价带带阶为2.56 eV, 导带带阶为0.49 eV, 是一个典型的类型I 的能带排列. 利用变厚度扫描的测量方法发现, ZnO/PbTe 界面存在两种键, 分别是Pb-O 键(低结合能) 和Pb-Te 键(高结合能). 在ZnO/PbTe 异质结界面的能带排列中导带带阶较小, 而价带带阶较大, 这一能带结构有利于PbTe 中的激发电子输运到ZnO 导电层中. 该类结构在新型太阳电池、中红外探测器、激光器等器件中具有潜在的应用价值.