X射线光电子能谱研究n SnO2 / p GaN异质结的能带对准 上传者：zjh11232 2021-03-22 08:27:24上传 PDF文件 994.87KB 热度 46次 X射线光电子能谱已用于研究n-SnO2 / p-GaN的能带偏移异质结。价带偏移(EV)和导带偏移(Ec)为分别确定为0.97±0.2 eV和0.77±0.2 eV,表明n-SnO2 / p-GaN异质结具有II型能带取向。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
