啼镐汞表面氧化特性的光电子能谱研究

李毅何篙易新建(昆明物理研究所昆明650223)摘要利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面氧化特性进行了研究,对不同工艺过程中的HgCdTe表面进行了测量、分析,结果表明啼福汞表面的自身氧化与工艺密切相关,说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性.PACC:7280E, 8160,79601引言在HgCdTe红外探测器的制造工艺中,要求对这种窄带隙半导体材料的表面加以严格控制,使表面具有均匀的化学配比、无晶体缺陷、极少的表面氧化和其它表面沾污.HgCdTe光伏探测器阵列是红外焦平面的核心,目前,HgCdTe光伏探测器阵列大多采用n+ P结平面工艺技术,这