应变硅技术提升纳米级MOSFET性能的研究和应用 上传者：whale_36964 2023-04-19 20:33:12上传 PDF文件 5.5MB 热度 8次 该文详细介绍了如何利用应变诱导硅技术来提高纳米级MOSFET的性能。通过掌握沟道应力的大小与分布，以及应力分布与电学特性的模拟研究，能够实现载流子迁移率的增强。应变硅技术有望在未来相当长时间内继续推动集成电路的发展，与当前微电子主流工艺兼容。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 whale_36964 资源：2 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
