高电场下光照对AlGaN / GaN异质结构电子速度的影响

我们研究了AlGaN / GaN异质结构中电子速度的变化取决于关于照明光的强度和波长。 结果表明,高电子速度下的电子速度在带上光照下,磁场增加。 发现这种电子速度的增强与与热电子相互作用并因此加速的光生冷洞有关高电场下的能量弛豫。 结果表明,有一种替代方法可以改善GaN基异质结构中的电子能量弛豫率和电子速度。