相邻AlGaN / GaN异质结构中阶梯状各向异性电子散射的理论研究

通过许多实验发现,邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的,这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。 但是,由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式,因此对这种实验结果没有理论上的解释。 在这项工作中,我们从求解标准的线性化玻耳兹曼方程开始,并将电子弛豫时间分为x和y分量(分别垂直于和平行于步骤)。 以此方式,发现弛豫时间的y分量是无限的,而x分量部分取决于散射势的形式。 随后,我们能够找到各向异性迁移率的解析表达式,并且计算结果与实验值一致。