二维器件模拟光电探测器的结构

图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置[56],从图可见,N阱与P+区构成一个二极管,称为工作二极管D。;N阱与衬底构成一个二极管,称为屏蔽二极管Ds;在衬底深处的光生载流子被屏蔽二极管的耗尽区所吸收,不能扩散到工作二级管内;工作二极管内没有长距离扩散的光生载流子,只有N阱内短途扩散的载流子,从而提高了工作二极管的速度。从图中可以看出N阱上的耗尽区即P+和N阱形成的耗尽区越大,工作二极管D。光生载流子中扩散成分越小,速度越高,这要求N阱的掺杂水平与衬底相当以获得轻掺杂的I区,但这在实际的CMOS工艺中是很难做到的。另外,制作