基于GaAs单片微波集成电路技术的新型对称微波功率传感器

本文提出了一种基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)技术的新型对称微波功率传感器。 在此功率传感器中,左部分输入微波功率,而右部分输入直流功率。 由于采用对称结构,因此该功率传感器可提供更精确的微波功率测量能力,而不会失配不确定性并抑制温度漂移。 建立了损耗模型,当输入功率为100 mW时,在20 GHz时损耗电压为0.8 mV。 该功率传感器是使用GaAs MMIC技术设计和制造的。 它是在高达20 GHz的频率范围内进行测量的,输入功率在-20 dBm至19 dBm的范围内。 在19 dBm的动态范围内,灵敏度可以达到约0.2 mV mW-1。 对于相等的输出电压,两个部分中的输入功率之