SEED智能像素器件的物理基础

随着分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术的成熟与发展,可以在半导体衬底上均匀生 长原子量级的超薄层田,通过两种半导体材料的交替生长,形成一系列周期性的势垒和势阱,这就是所谓的超晶 格量子阱结构卩引。在量子阱中,由于电子的平均自由程大于势阱的宽度,将产生量子尺寸效应,态密度由体材 料的连续抛物线形变成量子阱中的台阶形,台阶形态密度分布使注入量子阱中电子、空穴能量分布更为集中,大 大提高了注入载流子的利用效率,由于量子阱材料吸收带边比体材料要陡直得多,因而吸收损耗系数至少降低一 个量级。 量子阱材料的另一重要特点是具有很强的室温激子吸收行为。在二维量子阱材料中,由于