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连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏

上传者: 2021-02-23 12:28:54上传 PDF文件 959.56KB 热度 19次
采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响,给出了材料内温度与载流子密度的瞬态分布。
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