自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究

利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 min,发现量子阱特征峰797 nm经过辐照后峰值发生红移至812 nm,波形展宽,峰高降低.对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.