自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究 上传者：清华规划院 2021-04-19 15:21:20上传 PDF文件 776.74KB 热度 10次 利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 min,发现量子阱特征峰797 nm经过辐照后峰值发生红移至812 nm,波形展宽,峰高降低.对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较. 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 清华规划院 资源：402 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
