1.3 μm InGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

1.3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统.为了扩大其应用至核环境和外层空间,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究.在电子能量为0.4~1.80MeV范围内,注量为1×1012~2×1016cm-2条件下进行辐照.在注量小于1×1015cm-2时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的.当辐照注量超过1×1015cm-2时激光器的输出功率则呈数量级下降,如镀以Y2O3-ZrO2膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高.