基于GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关

提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种半导体弱光开关是半导体超晶格材料共振隧穿作用导致的子带跃迁的Fano干涉的结果.由于半导体结构与材料可以人为地选择,相干强度可以控制和改变,这种半导体弱光开关比采用原子系统更实用.这也是一种在半导体材料中实现一束光控制另一束光的方法.