快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响

研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 °C时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 °C时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显著提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。