GaAlAs/GaAs量子阱结构的实验研究 上传者：qq_64073 2021-02-20 23:48:59上传 PDF文件 859.94KB 热度 35次 利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
