基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

Name: 基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关
Rating: 4.5 (15 reviews)
Author: qq_22845

上传者：qq_22845 2021-02-19 23:28:52上传 PDF文件 555.03KB 热度 15次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

基于GaN AlGaN和InGaAs AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

大小：555KB | 2021-02-19 23:28:52
量子阱结构光开关

光开关与半导体激光器和接收元件一起构成光集成回路的三要素,东京工业大学工学部的末松安晴教授等人,提出...

大小：1.33MB | 2021-02-23 19:12:12
刻蚀改变InGaN AlGaN应变多量子阱发光特性

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响, 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术...

大小：1.01MB | 2021-02-23 17:51:49
阱厚度变化的绿色发光InGaN GaN多量子阱中的定位效应

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长具有不同阱厚度的绿色发光InGaN / GaN多量子阱(M...

大小：256KB | 2021-04-25 17:09:42
InGaN GaN非对称多量子阱中的施主杂质

InGaN / GaN非对称多量子阱中的施主杂质

大小：299KB | 2021-03-27 01:04:58
应变调制InGaN GaN多量子阱的光谱漂移研究

在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE...

大小：4.52MB | 2021-02-23 19:12:20
GaN盖层厚度不同的高铟含量InGaN GaN多量子阱的光学和结构特征

GaN盖层厚度不同的高铟含量InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特征

大小：1.63MB | 2021-03-27 01:04:53
掺锌GaN AlGaN量子阱中的施主杂质态量子限制和激光修饰效应

在有效质量近似的框架内,已对变化的激光场对共混锌(ZB)GaN / AlGaN量子阱(QW)中基态供...

大小：128KB | 2021-04-21 17:55:23
GaN1122半极性面上生长InGaNGaN多量子阱的研究

利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN...

大小：527KB | 2021-04-17 17:21:11
在对称AlGaN GaN双量子阱中实现四能级系统

在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研...

大小：191KB | 2020-07-20 06:16:27
干蚀损伤对纳米棒InGaN GaN多量子阱内部量子效率的影响

研究了干法刻蚀对InGaN / GaN纳米棒多量子阱(MQWs)内部量子效率的影响。样品通过自组装...

大小：1.36MB | 2021-04-25 17:09:47
InGaAs P应变补偿多量子阱结构激光器的理论研究

从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性,并以InGaAs(P)体系为例,分别对应变补偿结构和...

大小：900KB | 2021-03-15 17:12:27
光互连用8×8多量子阱空间光调制器

制作了光互连用8×8多量子阱空间光调制器, 测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用D...

大小：1.4MB | 2021-02-23 17:48:16
非均匀阱宽多量子阱155μm高功率超辐射光源

采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果,...

大小：398KB | 2021-03-25 16:37:22
能带调控提高GaN InGaN多量子阱蓝光LED效率研究

能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究

大小：1.5MB | 2021-02-21 18:35:35
激光场和电场对掺锌GaN AlGaN量子阱中杂质态的影响

基于有效质量近似,在ZB GaN / AlGaN量子阱(QW)中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂...

大小：227KB | 2021-02-25 01:04:27