Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂

杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口, 提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源, 采用闭管扩散方式, 在550 °C下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现, 随着扩散时间从20~120 min, 样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加, 峰值波长蓝移53 nm; 当扩散时间超过60 min后, 样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰, 同时还出现了红移峰, 峰值波长红移32 nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂; 红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层