论文研究量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响 .pdf
量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响，林涛，林楠，对于采用AlGaInP/GaInP有源区的670nm波段半导体激光器，可通过量子阱混杂技术制作腔面非吸收窗口来改善其输出光学特性。本文研究了不同
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