GaAs衬底的固态杂质源脉冲1.06 μm激光诱导扩散

利用1.06 μm脉冲Nd:YAG激光,以含Zn的固态杂质源在化合物半导体GaAs基片上进行诱导扩散,作出了P-N结。获得了亚微米的扩散结结深及1020 cm-3量级的表面掺杂浓度,并利用二次离子质谱仪对扩散样品进行成分的逐层扫描分析,研究了结深和掺杂浓度与辐照激光脉冲数、单脉冲激光能量密度的关系。