InGaZnO多晶靶材制备与薄膜生长的研究

对于InGaZnO材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将Ga2O3,In2O3,ZnO高纯度粉末按一定比例混合,经过研磨、预烧、研磨、压模和烧结,利用常压固相反应烧结法制备了直径为30 mm,厚度为5 mm高质量的InGaZnO陶瓷靶材,并对InGaZnO靶材进行了X射线衍射(XRD)测试。采用脉冲激光沉积的方法,一定温度下在石英玻璃衬底上生长了InGaZnO薄膜,并对薄膜进行原子力显微镜、透射光谱与霍尔效应的测试与表征,制备出具有高平整度、高透射率与优异电学性质的透明氧化物半导体(TOS)薄膜,为进一步对InGaZnO薄膜的制备与分析提供良好的实验数据支持。