TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计

提出了一种新型TRIPLE RESURF 结构的LDMOS器件,与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入,即在靠近源端一侧采用较高注入剂量,在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值,提高了击穿电压。利用SILVACO TCAD软件分析了各个参数对击穿电压和比导通电阻的影响,与普通的TRIPLE RESURF结构相比,在比导通电阻不变时,击穿电压则提高了15 V。