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分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计

上传者: 2020-10-28 03:05:18上传 PDF文件 62.74KB 热度 8次
为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容,提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件,给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下,能有效减小LDMOS器件寄生电容!提升器件增益#效率及线性度等射频性能。
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